不畏三星/英特爾14nm攻勢 台積16FF+先蹲後跳

作者: 黃耀瑋
2015 年 03 月 03 日

面對英特爾(Intel)、三星(Samsung)雙雙宣布旗下14奈米鰭式場效應電晶體(FinFET)處理器正式邁入量產,台積電亦不甘示弱,將於今年第二季量產16奈米FinFET強效版製程(16FF+),拉升晶片效能和功耗表現;此外,安謀國際(ARM)與賽靈思(Xilinx)也已接連揭櫫16FF+相關產品藍圖,將有助台積電在1x奈米製程市場扳回一城。


工研院IEK電子組系統IC與製程研究部研究經理彭茂榮表示,台積電挾在晶圓代工領域長久累積經驗,在短時間內將原先規畫的16奈米FinFET升級為效能更強、功耗更低的16FF+,並將量產時間提前至2015年第二季,目的除追趕半導體一哥英特爾發展腳步外,亦有防堵三星趁隙崛起的意味。即便14奈米已先一步投產,但從16FF+良率與性能不斷攀升,且可望在今年底前完成數十件設計定案(Tape Out)的進度來看,2015年16FF+市占率可望先蹲後跳。


安謀國際移動通訊暨數位家庭部門資深市場經理林修平指出,半導體產業正面臨電晶體製造技術由平面轉向立體式的轉捩點,因此該公司也加緊與台積電展開16FF+設計驗證,並已正式發布16FF+ POP(Process Optimization Pack)矽智財(IP),以及支援該製程的Cortex-A72、Mali-T880等處理器核心,將有助系統單晶片(SoC)合作夥伴加速實現基於FinFET架構的解決方案。


相較於三星14奈米製程目前僅能用於自家處理器的進展,台積電與安謀國際聯手出擊,對16FF+製程推廣將大有助益。事實上,安謀國際也坦言,其與多家晶圓廠合作,分別發展16和14奈米製程,但目前僅揭櫫16FF+ POP IP,在14奈米方面則尚未有對應方案;此也讓未來的1x奈米FinFET技術戰局更添變數。


賽靈思全球資深副總裁暨亞太區執行總裁湯立人強調,看中16FF+的效能功耗比更加出色,賽靈思也延續與台積電在先進製程技術上的合作,宣布將於今年第二季量產新系列16奈米系統單晶片現場可編程閘陣列(SoC FPGA)–UltraScale+,可望較先前28奈米方案提高二到五倍的效能功耗比,進而滿足5G行動通訊網路、400G光傳輸網路,以及8K×4K影像處理機制等前瞻科技的先期研發需求。


台積電透露,相較於平面式電晶體結構的20奈米製程,16FF+速度增快40%,在相同速度下功耗則降低50%,係建構下世代高階行動運算、網通及消費性產品SoC的關鍵利器;現階段,16FF+已開始試產,預計今年中全面導入量產,並將於11月前完成所有可靠性驗證,年底前則可望發表近六十件設計定案。

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